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测量霍尔系数与电导率随温度的变化,确定半导体的禁带宽度、杂质电离能
点击次数:306 更新时间:2025-06-18
  霍尔效应的测量是研究半导体性质的实验法。利用霍尔系数和电导率的测量,用来确定半导体的导电类型和载流子浓度。通过测量霍尔系数与电导率随温度的变化,确定半导体的禁带宽度、杂质电离能及迁移率的温度系数等基本参数。
 
  本仪器是利用电子和计算机数据采集系统,对霍尔样品在弱场条件下进行变温霍尔系数和电导率的测量,来确定半导体材料的性质。
 
  变温霍尔效应实验仪是由电磁铁、可自动换向稳流源、恒温器、测温控温系统、数据采集及数据处理系统等组成。
 
  产品特点:
 
  1.可用范德堡法测量和标准法测量样品;
 
  2.可手动测量和自动测量;
 
  3.电流自动换向、磁测自动换向,电导和霍尔自动换向;
 
  4.R1和R2自动测量。
 
  规格参数:
 
  电磁铁:0-400mT可调
 
  励磁电源:0-6A可调,可自动换向
 
  稳定性:<±0.1%
 
  数字特斯拉计:0-2000mT,四位半数字显示
 
  恒流源输出:1μA-200mA连续可调
 
  稳定性:±0.1%
 
  数据采集系统霍尔电压测量范围:0-2000mV
 
  数据采集系统霍尔电压分辨率:1uV
 
  测温范围:77-450K
 
  功率范围:200W
 
  变温霍尔效应测量仪
 
  型号:MLHT-658
 
 
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