少子寿命测定仪 型号：ZH8202	货号：ZH8202
产品简介: τ:10～6000μs，ρ＞3Ω·cm ，配数字示波器;用于硅、锗单晶的少数载流子寿命测量，除需要有一个测量平面外，对样块体形严格要求，可测块状和片状单晶寿命。寿命测量可灵敏地反映单晶体内重金属杂质污染及缺陷存在的情况，是单晶质的重要检测项目。 设备组成 1.光脉冲发生装置: 重复频率>25次/s 脉    宽>60μｓ 光脉冲关断时间＜1μｓ 红外光源波长：1.06～1.09μm（测量硅单晶） 脉冲电流：～20A 如测量锗单晶寿命需配置适当波长的光源 2.高频源: 频    率：30MHz低输出阻抗 输出功率>1W 放大器和检波器: 频率响应：2Hz～2MHz 3.配用示波器： 配用示波器：频带宽度不低于10MHz，Y轴增益及扫描速度均应连续可调。 测量范围： 可测硅单晶的电阻率范围：ρ≥0.1Ω·㎝（欧姆·厘米） 寿命值的测量范围：5～6000μｓ（微秒）