数字式硅晶体少子寿命测试仪/高频光电导寿命测试仪（测单晶） 型号：KDKLT-100C

货号：ZH8201

产品简介: τ:1～6000μs   ρ＞0.1Ω·cm太阳能级硅片寿命 配已知寿命样片、配数字示波器 为解决太阳能单晶、多晶少子寿命测量，特按照国标GB/T1553及SEMI MF-1535用高频光电导法研制出了数字式少子寿命测试仪。 该设备是按照标准GB/T1553“硅单晶少数载流子寿命测定的高频光电导衰减法”设计制造。高频光电导衰减法在我国半导体集成电路、晶体管、整流器件、核探测器行业已运用了三十多年，积累丰富的使用经验，经过数次十多个单位巡回测试的考验，证明是一种成熟可靠的测试方法，适合于硅块、硅棒研磨面的少子体寿命测量；也可对硅片进行测量，给出相对寿命值。方法本身对样品表面的要求为研磨面，制样简便。 产品特点： 1.可测量太阳能级多晶硅块、单晶硅棒少数载流子体寿命。表面需抛光，直接对切割面或研磨面进行测量。同时可测量多晶硅检验棒及集成电路、整流器、晶体管级硅单晶的少子寿命。 2.可测量太阳能级单晶及多晶硅片少数载流子的相对寿命，表面需抛光、钝化。 3.配备软件的数字示波器，液晶屏上直接显示少子寿命值，同时显示动态光电导衰退波形，并可联用打印机及计算机。 4.配置两种波长的红外光源：     a.红外光源，光穿透硅晶体深度较深≥500μm，有利于准确测量晶体少数载流子体寿命。     b.短波长红外脉冲激光器，光穿透硅晶体深度较浅≈30μm，但光强较强，有利于测量低阻太阳能级硅晶体。 5.测量范围宽广测试仪可直接测量：     a.研磨或切割面：电阻率≥0.3Ω?㎝的单晶硅棒、定向结晶多晶硅块少子体寿命，切割片的少子相对寿命。     b.抛光面：电阻率在0.3～0.01Ω?㎝范围内的硅单晶、锗单晶抛光片。 寿命可测范围：0.25μS—10ms