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四探针电阻率测定仪选型手册!
点击次数:662 更新时间:2014-05-27
 

四探针电阻率测定仪  货号:ZH221 

严格按照硅片电阻率测量的标准(ASTM F84)及标准设计制造,并针对目前常用的四探针电阻率测试仪存在的问题加以改进

是用来测量半导体材料(主要是硅单晶、锗单晶、硅片)电阻率,以及扩散层、外延层、ITO导电箔膜、导电橡胶方块电阻的测量仪器。它主要由电气测量部份(简称:主机)、测试架及四探针头组成。

本仪器的特点是主机配置双数字表,在测量电阻率的同时,另一块数字表(以之几的精度)适时监测程的电流变化,免除了测量电流/测量电阻率的转换,及时掌控测量电流。主机还提供精度为0.05%的恒流源,使测量电流高度稳定。本机配有恒流源开关,在测量某些箔层材料时,可免除探针尖与被测材料之间接触火花的发生,好地保护箔膜。仪器配置了本公司的产品:“小游移四探针头”,探针游移率在0.1~0.2%。保证了仪器测量电阻率的重复性和准确度。本机如加配HQ-710E数据处理器,测量硅片时可自动进行厚度、直径、探针间距的修正,并计算、打印出硅片电阻率、径向电阻率的zui大百分变化、平均百分变化、径向电阻率不均习庋。给测量带来很大方便。

主机技术能数

测量范围:

可测电阻率:0.0001~19.9999cm

可测方块电阻:0.0001~1000Ωcm

恒流源:

输出电流:DC 0.001~100mA 五档连续可调

量程:0.001~0.01mA

0.01~0.10mA

0.10~1.0mA

1.0~10mA

10~100mA

恒流精度:档均低于±0.05%

直流数字电压表:

测量范围:0~19.999mV

灵敏度:1μV

基本误差:±(0.004%读数+0.01%满度)

输出电源:≥1000ΩM

供电电源:

AC 220V±10% 50/60 Hz 功率:12W

使用环境:

温度:23±2℃ 相对湿度:≤65%

较强的电场干扰,强光直接照射

重量、体积:

主机重量:7.5kg

体积:365×380×160(单位:mm 长度×宽度×高度)

 

四探针头 

产品简介

使用几何尺寸的红宝石轴套,确保探针间距的恒定、准确。

控制宝石内孔与探针之间的缝隙不大于6μm,保证探针的小游移率。

采用的S型悬臂式弹簧,使每根探针都具有立、准确的压力。

量具精度的硬质合金探针,在宝石导孔内稳定运动,持久耐磨。

用途

测量硅、锗单晶(棒料、晶片)电阻率,测定硅外延层、扩散层和离子注入层的方块电阻。

测量导电玻璃(ITO)和其它导电薄膜的方块电阻。

探针间距

直线四探针…………… 1.00mm、1.27mm、1.59mm

方形四探针…………… 1.00mm

直线三探针…………… 1.00mm、1.27mm、1.59mm

两探针    …………… 1.00mm、1.59mm、4.76mm、10.00mm

技术指标

游移率   

       B级…………… <0.5%

       *……………<0.3%

       A*………… <0.2%

       AA*…………<0.1%

间距偏差  

        B级…………… <3%

        *…………… <2%

        A*…………  <2%

        AA*………… <1%

zui大针与导孔间隙:0.006mm

探针材料:硬质合金(主成份:进口碳化钨)或高速钢

探针压力  标准压力:6—10N(4根针总压力)

          小压力:1.2—5N(4根针总压力)     

          1牛顿(N)=101.97克

针尖压痕直径:25—100μm、100—250μm(簿层)

500V缘电阻:>1000MΩ 

 

四探针手动测试架

产品简介 

支架尺寸:

竖测高度:500mm

台面:200×300mm/240×380mm

特点:

主于测棒、块。

注:其它尺寸可按要求订做

 

四探针手动测试架  

产品简介 

支架尺寸:

竖测高度:120mm

台面:200×300mm

特点:

主于测片。 

 

 
 
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