微波光电导载流子复合寿命测试仪（测硅片）是按照半导体设备和材料MF1535-0707及GB/T 26068的要求，采用微波反射光电导衰退测量方法，适用于厚度小于1mm的硅片、电池片少数载流子寿命的测量，具有数字显示的测量。 微波反射光电导衰退法用于测量掺杂的抛光N型或P型硅片与载流子复合过程相关的载流子寿命的测量。也可应用于测量切割、研磨、腐蚀硅片的载流子复合寿命。 适用范围：可移动探头，适合测硅片、硅锭、大块状样品 测量范围：0.25μs-10ms 电阻率下限：≥0.5Ω·cm 测量型号：N型或P型单晶或铸造多晶 重复性：5% 测量精度：10% 微波频率：10GHz 光源脉冲：200ns 红外光源：0.904-0.905μm 工作电源：AC 220V,50Hz 功率范围：约40W 工作温度：23±2℃ 相对湿度：＜65% 读数方式：可选配测试软件或数字示波器读数 测试软件：具有自动保存数据及测试点衰减波形，可进行查询历史数据和导出历史数据等操作。 少子寿命测定仪|微波光电导载流子复合寿命测试仪
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