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产品型号： |
KDKLT-1 |
产品名称： |
高频光电导寿命测试仪/高频光电导少子寿命测试仪（学校用） 型号：KDKLT-1 |
产品报价： |
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产品特点： |
:10～6000μs，ρ＞3Ω·cm ，配数字示波器;用于硅、锗单晶的少数载流子寿命测量，除需要有一个测量平面外，对样块体形严格要求，可测块状和片状单晶寿命。寿命测量可灵敏地反映单晶体内重金属杂质污染及缺陷存在的情况，是单晶质的重要检测项目。 |
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KDKLT-1高频光电导寿命测试仪/高频光电导少子寿命测试仪（学校用） 型号：KDKLT-1的详细资料： |
高频光电导寿命测试仪/高频光电导少子寿命测试仪（学校用） 型号：KDKLT-1
| 货号：ZH8202 | 产品简介:
τ:10～6000μs，ρ＞3Ω·cm ，配数字示波器;用于硅、锗单晶的少数载流子寿命测量，除需要有一个测量平面外，对样块体形严格要求，可测块状和片状单晶寿命。寿命测量可灵敏地反映单晶体内重金属杂质污染及缺陷存在的情况，是单晶质的重要检测项目。
设备组成
1.光脉冲发生装置:
重复频率>25次/s
脉 宽>60μｓ
光脉冲关断时间＜1μｓ
红外光源波长：1.06～1.09μm（测量硅单晶）
脉冲电流：5A～20A
如测量锗单晶寿命需配置适当波长的光源
2.高频源:
频 率：30MHz低输出阻抗
输出功率>1W
放大器和检波器:
频率响应：2Hz～2MHz
3.配用示波器：
配用示波器：频带宽度不低于10MHz，Y轴增益及扫描速度均应连续可调。
测量范围：
可测硅单晶的电阻率范围：ρ≥0.1Ω·㎝（欧姆·厘米）
寿命值的测量范围：5～6000μｓ（微秒） | 
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| 产品相关关键字： 高频光电导寿命测试仪 |
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