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半导体分立器件测试仪充分吸收*测试系统的特点
点击次数:1005 更新时间:2017-07-24
 

半导体分立器件测试仪 型号:NIBJ-2939 货号:ZH9813 
产品简介:
该仪器充分吸收*测试系统的特点,采用了的嵌入式计算机技术和优化结构技术、16位并行A/D和D/A技术、多级开尔文反馈技术、小信号精密测试技术以及阵列开关结构技术,并选用材料制作。在系统设计、选材、工艺、制作、调试、校验等诸多方面与国内现有同类系统相比均有较大,从而提高了系统的技术性能和可靠性,保证了该系统项技术性能指标处于、国内的地位。
其特点是:侧重于中小功率器件、测试品种覆盖面广、测试精度高、电参数测试、速度快、有良好的重复性和性、很高的工作稳定性和可靠性,很强的保护系统和被测器件保护能力。系统软件功能、使用灵活方便、操作简单。系统软件稳定可靠、硬件故障率极低,在实际测试应用中项技术指标真实达到手册技术要求。
系统采用方便易学的窗口菜单界面,在PC机窗口提示下,输入被测器件的测试条件,测试人员即可轻松快捷地控制系统,完成填表编程和开发测试程序、测试器件。操作人员具备计算机编程语言知识,使用简捷方便。3分钟即可完成一种测试编程,编写完成后输入仪器即可测试。当然还可以在仪器下直接进行器件测试程序及条件的编写,方便灵活。系统和测试夹具均采用多级开尔文结构,自动补偿系统内部产生的压降,保证种情况下测试结果的精度和准确性。
优良的、低廉的价格、周到的服务使得该系统在国内市场具有的竞争实力。“的、低端的价格、周到的、的客户服务”是仪美达产品对市场和对客户的恒承诺。 
技术特征
采用脉冲法测试参数、脉宽可为300μS,符合标的规定采用嵌入式计算机控制,实现脱机运行
16位并行D/A、A/D设计,测试速度快、精度高
采用多级开尔文技术,系统稳定性高,测试结果准确
采用三级保护技术,系统可靠,对被测器件损伤
丰富的WINDOWS界面菜单编程和控制能力、方便的用户信息文件、统计文件方式
晶体三极管自动NPN和PNP 判别能力,防止选错类型
二极管极性自动判别选择,用户测试二极管不必注意极性
自检/自校准能力
测试系统需要的其它多种数据后处理能力
技术参数
主极电压:200V
主极电流:10mA
控制极1电压:20V
控制极1电流:10A
控制极2电压:20V
控制极2电流:1A
电压分辨率:1mV
电流分辨率:1nA
测试速度:器件不同速度也不同
试器件种类
测试功能加,可测试八类中、小功率的半导体分立器件:
二极管
稳压(齐纳)二极管
晶体管(NPN型/PNP型)
可控硅整流器(普通晶闸管)
双向可控硅(双向晶闸管)
MOS场效应管(N-沟/P-沟)
结型场效应管(N-沟/P-沟,耗尽型/增强型)
光电耦合器
上述所列类别包括中、小功率半导体分立器件及其组成的阵列、组合、表贴器件。
测试方法符合行业总规范、相应的标准、器件测试标准。
提供上述类器件测试所用的不同封装形式的测试夹具和测试适配器。
可以定做种阵列、组合封装、表贴器件的测试夹具。
帮助用户开发种器件的测试程序。
技术参数
漏电参数:IR、ICBO、LCEO/S、IDSS、IDOFF、IDGO、ICES、IGESF、IEBO、IGSSF、LGSSR、IGSS、IR(OPTO)
击穿参数: BVCEO   BVCES(300μS Pulse above 10mA)
BVDSS、VD、 BVCBO、VDRM、VRRM、VBB
BVR、VD+、VD-、BVDGO、BV Z、BVEBO、BVGSS
增益参数:hFE、CTR、gFS
导通参数:VCESAT、VBESAT、VBEON、 VF、VON、VDSON、VDON、VGSON、VF(Opto-Diode) 、VGSTH、VTM、VSD、IDON、VSAT、IDSS、IDON 
关断参数:VGSOFF
触发参数:IGT、VGT
保持参数:IH
锁定参数:IL
混合参数:rDSON、gFS
测试盒说明:
测试盒共有五种:
1:可测二极管、稳压二极管;
2:可测封装为TO-92、TO-220等三个管脚在一个平面上的三端器件;
3:可测封装为TO-3及国内封装为F1、F2、F3、F4三端器件;
4:可测三个管脚分三角形排列,且器件壳体为小圆型的小功率三端器件;
5:可测DIP4、DIP6、DIP8封装的光电耦合器;
测试夹具:
测试夹具有三根夹子线,与测试盒1配合使用,用来测试器件形状,不能使用上述五种测试盒上的插座,则使用此三个夹子线直接夹在器件的管脚上进行测试。
表贴器件
其它表贴类型的器件,可根据实际器件的封装定做相应的测试盒。    
 

 
 
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