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磁阻效应实验仪 型号:YQDH4510 货号:ZH5419 产品简介本实验装置使用砷化镓(GaAs)霍尔传感器测量磁感应强度,研究锑化铟(InSb)磁阻传感器在不同的磁感应强度下的电阻大小。可观测半导体的霍尔效应和磁阻效应两种物理规律,及其作为磁测量不同应用,具有研究性和相关性的实验特点,适合于基础物理实验和综合性物理实验。 主要技术参数及性能: 1、IM:励磁电流,直流0~900mA连续可调,3位半数显;2、Is:传感器工作电流,直流0~1mA连续可调,3位半数显;3、数字式磁场强度和磁阻电压测量: 磁场强度0~999mT,准确率1%; 磁阻电压0~2000mV,准确率为0.5%。
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第14年