四探针电阻率/方阻测试仪（灵敏度：10μV）/
型号：GDS/KDY-1

严格按照硅片电阻率测量的标准（ASTM F84）及标准设计制造，并针对目前常用的四探针电阻率测试仪存在的问题加以改进
是用来测量半导体材料（主要是硅单晶、锗单晶、硅片）电阻率，以及扩散层、外延层、ITO导电箔膜、导电橡胶方块电阻的测量仪器。它主要由电气测量部份（简称：主机）、测试架及四探针头组成。
本仪器的特点是主机配置双数字表，在测量电阻率的同时，另一块数字表（以之几的精度）适时监测程的电流变化，免除了测量电流/测量电阻率的转换，及时掌控测量电流。主机还提供精度为0.05%的恒流源，使测量电流高度稳定。本机配有恒流源开关，在测量某些箔层材料时，可免除探针尖与被测材料之间接触火花的发生，好地保护箔膜。仪器配置了本公司的产品：“小游移四探针头”，探针游移率在0.1～0.2%。保证了仪器测量电阻率的重复性和准确度。本机如加配HQ-710E数据处理器，测量硅片时可自动进行厚度、直径、探针间距的修正，并计算、打印出硅片电阻率、径向电阻率的zui大百分变化、平均百分变化、径向电阻率不均习庋。给测量带来很大方便。
2、主机技术能数
（1）测量范围：
可测电阻率：0.0001～19.9999cm
可测方块电阻：0.0001～1000Ωcm
（2）恒流源：
输出电流：DC 0.001～100mA 五档连续可调
量程：0.001～0.01mA
0.01～0.10mA
0.10～1.0mA
1.0～10mA
10～100mA
恒流精度：档均低于±0.05%
（3）直流数字电压表：
测量范围：0～19.999mV
灵敏度：1μV
基本误差：±（0.004%读数+0.01%满度）
输出电源：≥1000ΩM
（4）供电电源：
AC 220V±10% 50/60 Hz 功率：12W
（5）使用环境：
温度：23±2℃ 相对湿度：≤65%
较强的电场干扰，强光直接照射
（6）重量、体积：
主机重量：7.5kg
体积：365×380×160（单位：mm 长度×宽度×高度）
 

四探针手动测试架 测单晶棒用
型号：GDSKDJ-1B

测单晶棒用，竖测高度：500（mm）样品台面：300×320（mm）

四探针电阻率测试仪-红宝石探针头 B级（间距：1.0mm）
型号：GDSKDT-1

产品简介
一、特点
1、 使用几何尺寸的红宝石轴套，确保探针间距的恒定、准确。
2、 控制宝石内孔与探针之间的缝隙不大于6μｍ，保证探针的小游移率。
3、 采用的S型悬臂式弹簧，使每根探针都具有立、准确的压力。
4、 量具精度的硬质合金探针，在宝石导孔内稳定运动，持久耐磨。
二、用途
1、 测量硅、锗单晶（棒料、晶片）电阻率，测定硅外延层、扩散层和离子注入层的方块电阻。
2、 测量导电玻璃（ITO）和其它导电薄膜的方块电阻。
三、探针间距
1、 直线四探针…………… 1.00mm、1.27mm、1.59mm
2、 方形四探针…………… 1.00mm
3、 直线三探针…………… 1.00mm、1.27mm、1.59mm
4、 两探针    …………… 1.00mm、1.59mm、4.76mm、10.00mm
四、技术指标
1、 游移率  
                   B级…………… ＜0.5%
                   *……………＜0.3%
                   A*………… ＜0.2%
                   AA*…………＜0.1%
2、 间距偏差 
                   B级…………… ＜3%
                   *…………… ＜2%
                   A*…………  ＜2%
                   AA*………… ＜1%
3、 zui大针与导孔间隙：0.006mm
4、 探针材料：硬质合金（主成份：进口碳化钨）或高速钢
5、 探针压力      标准压力：6—10N（4根针总压力）
                        小压力：1.2—5N（4根针总压力）    
                        1牛顿（N）=101.97克
6、 针尖压痕直径：25—100μｍ、100—250μｍ（簿层）
7、 500V缘电阻：＞1000MΩ

四探针电阻率测试仪-红宝石探针头 *（间距：1.0mm）
型号：GDSKDT-1

产品简介
一、特点
1、 使用几何尺寸的红宝石轴套，确保探针间距的恒定、准确。
2、 控制宝石内孔与探针之间的缝隙不大于6μｍ，保证探针的小游移率。
3、 采用的S型悬臂式弹簧，使每根探针都具有立、准确的压力。
4、 量具精度的硬质合金探针，在宝石导孔内稳定运动，持久耐磨。
二、用途
1、 测量硅、锗单晶（棒料、晶片）电阻率，测定硅外延层、扩散层和离子注入层的方块电阻。
2、 测量导电玻璃（ITO）和其它导电薄膜的方块电阻。
三、探针间距
1、 直线四探针…………… 1.00mm、1.27mm、1.59mm
2、 方形四探针…………… 1.00mm
3、 直线三探针…………… 1.00mm、1.27mm、1.59mm
4、 两探针    …………… 1.00mm、1.59mm、4.76mm、10.00mm
四、技术指标
1、 游移率  
                   B级…………… ＜0.5%
                   *……………＜0.3%
                   A*………… ＜0.2%
                   AA*…………＜0.1%
2、 间距偏差 
                   B级…………… ＜3%
                   *…………… ＜2%
                   A*…………  ＜2%
                   AA*………… ＜1%
3、 zui大针与导孔间隙：0.006mm
4、 探针材料：硬质合金（主成份：进口碳化钨）或高速钢
5、 探针压力      标准压力：6—10N（4根针总压力）
                        小压力：1.2—5N（4根针总压力）    
                        1牛顿（N）=101.97克
6、 针尖压痕直径：25—100μｍ、100—250μｍ（簿层）
7、 500V缘电阻：＞1000MΩ

四探针电阻率测量系统微控制器及配套软件（含通讯）
型号：GSKDY

   GSKDY测量系统微控制器及配套软件于硅晶体的电阻率测量，集多种测量方法为一体，是与电阻率测试仪配套使用，自动获取电压读数，计算并修正电阻率值，数据自动保存，快速查询，提供打印及导出格式，操作简单，方便可靠。

测量系统（含通讯）设计语言：VC++
可对四探针、两探针电阻率测量数据进行处理并修正测量数据，特定数据存储格式，显示变化曲线兼容性：适用于电脑，支持 Windows XP、Vista，